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            Product center

            thermo近紅外加熱裝置的特點(diǎn)

            發(fā)布時(shí)間:2024-03-29 點(diǎn)擊量:647

            thermo近紅外加熱裝置的特點(diǎn)


            它可以僅對(duì)置于超高真空或氣流等各種氣氛中的樣品照射精確的紅外線,并以非接觸方式快速加熱樣品。

            它可以輕松連接到真空系統(tǒng)和分析設(shè)備。
            這是Thermo Riko的主要型號(hào)。






            升溫快:最大升溫速率150℃/秒,約1分鐘升至1500℃
            清潔供暖:不用擔(dān)心熱源或電磁感應(yīng)產(chǎn)生氣體
            局部供暖:僅向樣品照射紅外線,不加熱周圍區(qū)域
            可自由連接:可安裝在各種真空系統(tǒng)中(ICF70)






            Si、SiC、石墨烯等樣品的快速加熱和退火
            氧化氣氛中氧化物晶體的生成和薄膜的形成
            在氫氣或氮?dú)庵屑訜峄?/span>
            X 射線或 UV 照射期間樣品溫度升高
            熱解吸氣體分析儀、XPS、XRD、PLD 等分析儀中樣品的加熱。
            磁場(chǎng)加熱、無磁場(chǎng)加熱
            在加壓氣氛下加熱
            通過向樣品施加負(fù)載來加熱






               紅外線感應(yīng)加熱設(shè)備根據(jù)應(yīng)用有以下規(guī)格。


             超高真空型 兼容10 -9 Pa超高真空。
             快速加熱型 可高速加熱,最大加熱速度可達(dá)150℃/秒。
             常壓加熱型 可以對(duì)放置在大氣中的樣品進(jìn)行點(diǎn)加熱。
             加壓氣氛型 可以加熱低于 10 個(gè)大氣壓的加壓室中的樣品。
             特殊規(guī)格 利用GV系列的特點(diǎn),可以滿足快速冷卻、負(fù)載加熱、磁場(chǎng)加熱等各種要求。
             請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。
             符合 CE 標(biāo)志 我們還生產(chǎn)符合 CE 標(biāo)志的產(chǎn)品。

            原理圖


             超高真空型GVH

            型號(hào)名稱GVH198GVH298
             紅外燈額定值1千瓦2千瓦
             達(dá)到最高溫度1200℃1400℃
             加熱面積φ20mm
             最大升溫速率1℃/秒
             最大真空度5×10 -9帕
             冷卻水量1升/分鐘2升/分鐘

             快速加熱型GV/GVL

            型號(hào)名稱GV154GV198GVL298GVL398
             紅外燈額定值500W1千瓦2千瓦3千瓦
             達(dá)到最高溫度1100℃1300℃1500℃1600℃
             加熱面積φ14mmφ20mm
             最大升溫速率100℃/秒100~150℃/秒
             最大真空度5× 10-7帕
             冷卻水量1升/分鐘2升/分鐘

             加壓氣氛型GVP

            型號(hào)名稱GVP198GVP298
             紅外燈額定值1千瓦2千瓦
             達(dá)到最高溫度1200℃1300℃
             加熱面積 φ20mm
             最大升溫速率 100℃/秒
             最大耐壓 1MPa以下
             冷卻水量1升/分鐘2升/分鐘







            它由紅外引入主體、多口真空室、溫度控制器等組成,能夠在高真空下對(duì)樣品進(jìn)行超高速加熱。
            它有許多真空口,可用于多種實(shí)驗(yàn)。

            通過打開和關(guān)閉真空室前門即可取出和取出樣品。

            [應(yīng)用]
            - 真空和氣體環(huán)境中樣品的連續(xù)加熱和冷卻控制
            - 樣品表面加熱和背面冷卻的快速升降溫測(cè)試(可選)
            - 加壓氣氛中加熱(可選)

            型號(hào)名稱GV1GV2
             紅外燈額定值1千瓦2千瓦
             達(dá)到最高溫度1300℃1500℃
             加熱面積~φ20mm
             最大升溫速率100~150℃/秒
             最大真空度5× 10-5帕
             冷卻水量1升/分鐘2升/分鐘

            GV2



            它由紅外線導(dǎo)入加熱裝置、小型真空室、測(cè)溫樣品部、溫度控制器等組成。

            通過從底部用紅外線照射真空室內(nèi)的樣品,可以清潔地加熱樣品并以超高速升高溫度。
            您可以在樣品加熱時(shí)從腔室頂部的觀察窗觀察樣品并拍照。

            型號(hào)名稱RTA198RTA298
             紅外燈額定值1千瓦2千瓦
             達(dá)到最高溫度900~1000℃1000~1300℃
             加熱面積~φ20mm
             最大真空度5×10 -3帕5× 10-5帕 
             冷卻水量1升/分鐘2升/分鐘
             


            RTA298



            它由超高真空紅外感應(yīng)加熱裝置、超高真空室、質(zhì)譜儀、電源/安全電路單元、真空排氣裝置組成,能夠?qū)悠樊a(chǎn)生的痕量氣體進(jìn)行質(zhì)譜分析達(dá)到高溫。

            紅外感應(yīng)加熱設(shè)備的熱源位于真空室外,不產(chǎn)生氣體,可以進(jìn)行清潔加熱,可以進(jìn)行高精度分析。

            型號(hào)名稱病毒2H
             紅外燈額定值2千瓦
             達(dá)到最高溫度1500℃
             加熱面積φ15mm
             最大真空度5× 10-6帕 
             交貨目的地京都大學(xué)

            病毒2H



            介紹三種非常適合在磁場(chǎng)中對(duì)樣品進(jìn)行熱處理的模型。
            【特點(diǎn)】
            - 由于采用紅外線傳輸加熱方式,樣品不受電磁感應(yīng)影響
            - 只能對(duì)樣品進(jìn)行精準(zhǔn)加熱,磁體壁不被加熱。

            也可以在真空或氣體氣氛中升高溫度。
            可貼附于超導(dǎo)磁體及各種電磁鐵上。

            當(dāng)樣品溫度為1000℃時(shí),孔內(nèi)壁溫度低于40℃。

             GVL298M





            在高真空中進(jìn)行 X 射線照射時(shí),樣品被加熱至超高溫度。
            (紅外線從左上對(duì)角方向和右下對(duì)角方向照射,X射線從左側(cè)和水平方向照射。)

            真空室安裝在XY工作臺(tái)、旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)和旋轉(zhuǎn)工作臺(tái)上,可以在加熱、保持或冷卻樣品的同時(shí)從任何角度分析樣品的晶體結(jié)構(gòu)。

            型號(hào)名稱GVL298-2S
             紅外燈額定值2kW×2
             達(dá)到最高溫度1500℃
             加熱面積φ20mm
             最大真空度5× 10-4帕 

             送貨目的地:Spring-8
             GVL298-2S



            紅外感應(yīng)加熱裝置與各種分析裝置結(jié)合使用。
            左圖是X射線光電子能譜儀。

             
            這是將 GVL298 類型安裝到 XPS 的示例。
            通過紅外線照射對(duì)預(yù)真空室內(nèi)的樣品進(jìn)行加熱,除去樣品中所含的水分和氣體并進(jìn)行清潔。
            樣品在超高真空中通過傳輸桿移動(dòng)到照片右側(cè)的XPS分析室,在那里接受X射線照射并進(jìn)行表面分析。


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