FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介

發(fā)布時間：2024-03-21　點擊量：598

FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介

我公司專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測設(shè)備和測量儀器的設(shè)計和生產(chǎn)。
發(fā)布本公司生產(chǎn)的測試儀，包括場效應(yīng)管L負載測試儀、場效應(yīng)管、晶體管熱阻測量儀等。
規(guī)格可以根據(jù)產(chǎn)品樣品進行更改，并且我們可以根據(jù)測量條件滿足各種要求，例如升高或降低電壓或電流。

EF-5202面板

EF-5202面板背面

l 負載測試設(shè)備（MOS FET）

該裝置是對樣品施加安全操作區(qū)（ASO）內(nèi)的高電壓和大電流以檢查樣品是否會被破壞的測試裝置。

將L（電感）連接到樣品（DUT）的漏極作為負載，并控制輸入柵極電壓來
切換DUT。由于DUT的切換，L負載兩端會產(chǎn)生反電動勢，根據(jù)此時產(chǎn)生的電壓和電流來測試DUT的耐受能力。

測量規(guī)格

	VDS電源	VG1電源	VG2電源
設(shè)定電壓范圍	0.0V~50.0V	0.0V~+30.0V	0.0V~-30.0V
設(shè)置分辨率	1.0V	0.1V	0.1V
輸出電流	40A以上	+100mA以上	-100mA以上
設(shè)定精度	±(1%+0.5A)以內(nèi)	±(1%+0.1A)以內(nèi)	±(1%+0.1A)以內(nèi)

電流限制
設(shè)定電流	0A~40A
解決	1A
檢測時間	99uS最大1uS步長

鉗位電源
輸出電壓	999V最大1.0V步進
設(shè)定精度	±(1%F?S+10V)

現(xiàn)成產(chǎn)品概要

場效應(yīng)管-901
大功率負載測試設(shè)備500V-100A
場效應(yīng)管-902
小功率L負載測試設(shè)備200V-30A FET/晶體管組合型
場效應(yīng)管-9205
可以用ROM編程
EF-5002
硬 L 和軟 L 測試可使用同一端子進行。可進行 100V-60A 多路復(fù)用器操作（2CH）。

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FET（Power Mos）測試機和測量儀器簡介

l 負載測試設(shè)備（MOS FET）

測量規(guī)格

現(xiàn)成產(chǎn)品概要